Abstract:
В работе представлены ab initio расчеты структурных и электронных свойств идеального оксида цин-
ка (ZnO) и с примесью атомарного водорода (ZnO+H). Показано, что квантово-химические расчеты
в приближении линейных комбинаций атомных орбиталей (ЛКАО) и с использованием гибридного
обменно-корреляционного функционала PBE0 являются надежным инструментом в описании элек-
тронных свойств дефектного оксида цинка. Дан сравнительный анализ электронных свойств с извест-
ными экспериментальными данными. Выявлены важные параметры, влияющие на изменение элек-
тронных свойств дефектного ZnO. Кроме того, дается сравнительный анализ с расчетами в модели
400-атомной суперячейки. Показана связь между локальной релаксацией и концентрацией дефектов.
