Abstract:
В работе рассматривается использование растрового электронного микроскопа MIRA 3 (TESCAN)
в
исследованиях микроструктуры материалов. Приведены полученные микроскопические
снимки полупроводниковых объектов и диэлектриков, снятых в различных режимах работы микроскопа,
а также при
разных увеличениях.
