Abstract:
Реакция материала на облучение быстрыми тяжелыми ионами простых оксидов, таких как TiO2, за-
метно отличается вблизи поверхности кристалла, чем в объеме. В этой приповерхностной области
толщиной несколько десятков нанометров материал обладает значительно более высокой чувстви-
тельностью к повреждениям. Повышенная чувствительность материала в этой области связана
с близостью свободной поверхности и слабо зависит от электронного торможения. По крайней мере,
для этих материалов предположение о цилиндрических латентных треках является неоднозначным и
большое внимание следует уделить им при определении радиусов треков косвенными методами.
Прямое наблюдение с помощью просвечивающей электронной микроскопии может также легко при-
вести к сильной переоценке радиусов треков, когда применяются стандартные методы подготовки об-
разца. Мы предполагаем, что пониженное внутреннее давление в кристалле в окрестности свободной
поверхности действует как стимулирующий фактор для усиления чувствительности. Более низкое
давление приводит к увеличению вероятности фазовых изменений из-за повышенных температур в
ядре трека, и увеличение объема приводит к образованию хиллоков на поверхности кристалла.
