dc.contributor.author |
Сергеев, Д.М. |
|
dc.date.accessioned |
2016-09-16T03:42:04Z |
|
dc.date.available |
2016-09-16T03:42:04Z |
|
dc.date.issued |
2016-06-30 |
|
dc.identifier.issn |
0142-0843 |
|
dc.identifier.uri |
http://rep.ksu.kz/data/115 |
|
dc.description.abstract |
В работе с применением метода матрицы рассеяния моделированы вольтамперные, dI dV -, d 2 I dV 2
-
характеристики слабосвязанных сверхпроводников джозефсоновского типа в туннельном режиме. При
расчете транспортных характеристик относительная прозрачность барьера перехода варьировался от
0,059 до 10-4. Показано, что с уменьшением прозрачности барьера (с увеличением высоты барьера)
перехода основной вклад в ток вносят туннеллирующие куперовские пары электронов (туннельный режим). Отмечено, что на вольтамперных и
dI (V ) dV -характеристиках сверхпроводящего перехода
в туннельном режиме наблюдается резкий рост квазичастичного тока при щелевых напряжениях Vg1
и Vg 2 , и этим значениям напряжения смещения соответствуют максимумы дифференциальной проводимости. Эти же изменения наблюдаются на
d 2 I dV 2 -характеристиках; результаты моделирования удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными. Полученные результаты могут быть
полезными для расчетов элементов сверхпроводниковой электроники. |
ru_RU |
dc.language.iso |
other |
ru_RU |
dc.publisher |
Вестник Карагандинского университета |
ru_RU |
dc.relation.ispartofseries |
физика |
ru_Ru |
dc.subject |
джозефсоновский переход |
ru_RU |
dc.subject |
эффект Джозефсона |
ru_RU |
dc.subject |
вольтамперная характеристика |
ru_RU |
dc.subject |
дифференциальная проводимость |
ru_RU |
dc.subject |
туннельные спектры |
ru_RU |
dc.subject |
туннельный режим |
ru_RU |
dc.title |
Моделирование dI/dV-характеристик слабосвязанных сверхпроводников джозефсоновского типа в туннельном режиме |
ru_RU |
dc.type |
Article |
ru_RU |