Моделирование dI/dV-характеристик слабосвязанных сверхпроводников джозефсоновского типа в туннельном режиме

Show simple item record

dc.contributor.author Сергеев, Д.М.
dc.date.accessioned 2016-09-16T03:42:04Z
dc.date.available 2016-09-16T03:42:04Z
dc.date.issued 2016-06-30
dc.identifier.issn 0142-0843
dc.identifier.uri http://rep.ksu.kz/data/115
dc.description.abstract В работе с применением метода матрицы рассеяния моделированы вольтамперные, dI dV -, d 2 I dV 2 - характеристики слабосвязанных сверхпроводников джозефсоновского типа в туннельном режиме. При расчете транспортных характеристик относительная прозрачность барьера перехода варьировался от 0,059 до 10-4. Показано, что с уменьшением прозрачности барьера (с увеличением высоты барьера) перехода основной вклад в ток вносят туннеллирующие куперовские пары электронов (туннельный режим). Отмечено, что на вольтамперных и dI (V ) dV -характеристиках сверхпроводящего перехода в туннельном режиме наблюдается резкий рост квазичастичного тока при щелевых напряжениях Vg1 и Vg 2 , и этим значениям напряжения смещения соответствуют максимумы дифференциальной проводимости. Эти же изменения наблюдаются на d 2 I dV 2 -характеристиках; результаты моделирования удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными. Полученные результаты могут быть полезными для расчетов элементов сверхпроводниковой электроники. ru_RU
dc.language.iso other ru_RU
dc.publisher Вестник Карагандинского университета ru_RU
dc.relation.ispartofseries физика ru_Ru
dc.subject джозефсоновский переход ru_RU
dc.subject эффект Джозефсона ru_RU
dc.subject вольтамперная характеристика ru_RU
dc.subject дифференциальная проводимость ru_RU
dc.subject туннельные спектры ru_RU
dc.subject туннельный режим ru_RU
dc.title Моделирование dI/dV-характеристик слабосвязанных сверхпроводников джозефсоновского типа в туннельном режиме ru_RU
dc.type Article ru_RU


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Browse

My Account