Abstract:
В работе с применением метода матрицы рассеяния моделированы вольтамперные, dI dV -, d 2 I dV 2
-
характеристики слабосвязанных сверхпроводников джозефсоновского типа в туннельном режиме. При
расчете транспортных характеристик относительная прозрачность барьера перехода варьировался от
0,059 до 10-4. Показано, что с уменьшением прозрачности барьера (с увеличением высоты барьера)
перехода основной вклад в ток вносят туннеллирующие куперовские пары электронов (туннельный режим). Отмечено, что на вольтамперных и
dI (V ) dV -характеристиках сверхпроводящего перехода
в туннельном режиме наблюдается резкий рост квазичастичного тока при щелевых напряжениях Vg1
и Vg 2 , и этим значениям напряжения смещения соответствуют максимумы дифференциальной проводимости. Эти же изменения наблюдаются на
d 2 I dV 2 -характеристиках; результаты моделирования удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными. Полученные результаты могут быть
полезными для расчетов элементов сверхпроводниковой электроники.
